某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過(guò)自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm?/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國(guó)新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。用戶案例broad：全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)

Polos光刻機(jī)與德國(guó)Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作，推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國(guó)精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化客戶認(rèn)可：全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%，復(fù)購(gòu)率 75%，技術(shù)支持響應(yīng)時(shí)間 < 2 小時(shí)。

德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴，支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 ?m）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級(jí)微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動(dòng)智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過(guò)優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時(shí)，可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。跨學(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。北京德國(guó)BEAM光刻機(jī)

技術(shù)Benchmark：Polos-?Printer 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)

微流體芯片制造的core工具！Polos光刻機(jī)可加工80 ?m直徑的開環(huán)諧振器和2 ?m叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe的2PP工藝），用戶可擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團(tuán)的協(xié)同合作，進(jìn)一步推動(dòng)工業(yè)級(jí)光學(xué)封裝技術(shù)創(chuàng)新3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和**公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)